Транзистор HX5N6
HX5N6 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 120 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.8 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.023 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 100 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 430 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор HX5N6 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOB412L |
SMD |
N |
150 |
100 |
25 |
3.8 |
60 |
0.0155 |
45 |
16 |
260 |
175 |
TO-263 |
| AOT412 |
PTH |
N |
150 |
100 |
25 |
3.8 |
60 |
0.0158 |
45 |
16 |
260 |
175 |
TO-220 |
| HX50N06-TA3 |
PTH |
N |
120 |
60 |
20 |
3.8 |
50 |
0.023 |
- |
100 |
430 |
150 |
TO-220 |