Транзистор HY1506I
HY1506I - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-262
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 100 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 55 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0135 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 62 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 666 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор HY1506I можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| HY1506B |
SMD |
N |
100 |
60 |
25 |
3 |
55 |
0.0135 |
62 |
25 |
666 |
175 |
TO-263 |
| HY1506P |
PTH |
N |
100 |
60 |
25 |
3 |
55 |
0.0135 |
62 |
25 |
666 |
175 |
TO-220 |