Транзистор HY4N60D
HY4N60D - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 56.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.4 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 13.2 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 63 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор HY4N60D можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CS4N60A3HD |
PTH |
N |
75 |
600 |
30 |
4 |
4 |
2.3 |
14.5 |
6.5 |
55 |
150 |
TO-251 |
| CS4N60A4HD |
SMD |
N |
75 |
600 |
30 |
4 |
4 |
2.3 |
14.5 |
6.5 |
55 |
150 |
TO-252 |
| CS4N60A8HD |
PTH |
N |
75 |
600 |
30 |
4 |
4 |
2.3 |
14.5 |
6.5 |
55 |
150 |
TO-220AB |
| CS4N60ARRD |
PTH |
N |
75 |
600 |
30 |
4 |
4 |
2.3 |
14.5 |
6.5 |
55 |
150 |
TO-262 |
| SIHB6N65E |
SMD |
N |
78 |
650 |
30 |
4 |
7 |
0.6 |
24 |
12 |
40 |
150 |
TO-263 |
| SIHD6N62E |
SMD |
N |
78 |
620 |
30 |
4 |
6 |
0.9 |
17 |
10 |
36 |
150 |
TO-252 |
| SIHD6N65E |
SMD |
N |
78 |
650 |
30 |
4 |
7 |
0.6 |
24 |
12 |
40 |
150 |
TO-252 |
| SIHP6N65E |
PTH |
N |
78 |
650 |
30 |
4 |
7 |
0.6 |
24 |
12 |
40 |
150 |
TO-220AB |
| SIHU6N62E |
PTH |
N |
78 |
620 |
30 |
4 |
6 |
0.9 |
17 |
10 |
36 |
150 |
TO-251 |
| SIHU6N65E |
PTH |
N |
78 |
650 |
30 |
4 |
7 |
0.6 |
24 |
12 |
40 |
150 |
TO-251 |