Транзистор IPB011N04NG
IPB011N04NG - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 250 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 180 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0011 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 180 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IPB011N04NG можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDBL0090N40 |
SMD |
N |
357 |
40 |
20 |
4 |
240 |
0.00065 |
144 |
- |
- |
175 |
H-PSOF8L |
| FDBL0120N40 |
SMD |
N |
300 |
40 |
20 |
4 |
240 |
0.0009 |
90 |
- |
- |
175 |
H-PSOF8L |
| FDBL9403_F085 |
SMD |
N |
357 |
40 |
20 |
- |
240 |
0.0009 |
144 |
- |
- |
175 |
H-PSOF8L |