Справочник электронных компонентов

Транзистор IPB017N06N3G

IPB017N06N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 250 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 180 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0017 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 206 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IPB017N06N3G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
CSD18536KCS	PTH	N	375	60	20	2.2	200	0.0016	83	17	1700	175	TO-220
FDBL86361_F085	SMD	N	429	80	20	-	300	0.0014	172	-	-	175	H-PSOF8L
IPB010N06N	SMD	N	300	60	20	3.3	180	0.001	208	36	3400	175	TO-263-7
IPB015N08N5	SMD	N	375	80	20	3.8	180	0.0015	178	32	2000	175	TO-263
IPB016N06L3G	SMD	N	250	60	-	-	180	0.0016	125	-	-	-	D2PAK
IPB017N10N5	SMD	N	375	100	20	3.8	180	0.0017	168	23	1810	175	TO-263
IPT012N08N5	SMD	N	375	80	20	3.8	300	0.0012	178	31	2000	175	HSOF-8
IPT015N10N5	SMD	N	375	100	20	3.8	300	0.0015	169	30	1800	175	HSOF-8