Транзистор IPB020N10N5
IPB020N10N5 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 375 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.8 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 120 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.002 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 168 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 26 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1810 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IPB020N10N5 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPB017N10N5 |
SMD |
N |
375 |
100 |
20 |
3.8 |
180 |
0.0017 |
168 |
23 |
1810 |
175 |
TO-263 |