Транзистор IPB029N06N3GE8187
IPB029N06N3GE8187 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 188 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 120 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0029 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 165 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 120 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2200 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IPB029N06N3GE8187 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK752R7-60E |
PTH |
N |
349 |
60 |
20 |
4 |
120 |
0.0026 |
158 |
50 |
1066 |
175 |
TO-220AB |
| BUK762R4-60E |
SMD |
N |
357 |
60 |
20 |
4 |
120 |
0.0024 |
158 |
50 |
1066 |
175 |
D2PAK |
| BUK762R6-60E |
SMD |
N |
324 |
60 |
20 |
4 |
120 |
0.0026 |
140 |
50 |
968 |
175 |
D2PAK |
| BUK7E2R6-60E |
PTH |
N |
349 |
60 |
20 |
4 |
120 |
0.0026 |
158 |
50 |
1066 |
175 |
I2PAK |
| IRFS3107-7PPBF |
SMD |
N |
370 |
75 |
20 |
4 |
240 |
0.0026 |
160 |
80 |
850 |
175 |
TO-263-CA7 |
| PSMN2R6-60PS |
PTH |
N |
326 |
60 |
20 |
4 |
150 |
0.0026 |
140 |
50 |
968 |
175 |
TO-220AB |