Транзистор IPB031NE7N3G
IPB031NE7N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 214 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 75 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0031 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 88 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IPB031NE7N3G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD19505KCS |
PTH |
N |
300 |
80 |
20 |
3.2 |
150 |
0.0031 |
76 |
16 |
1600 |
175 |
TO-220 |
| IPB030N08N3G |
SMD |
N |
214 |
80 |
- |
- |
160 |
0.003 |
88 |
- |
- |
- |
D2PAK |
| STV240N75F3 |
SMD |
N |
300 |
75 |
20 |
4 |
240 |
0.0026 |
85 |
- |
- |
175 |
PowerSO-10 |