Справочник электронных компонентов

Транзистор IPB034N06L3G

IPB034N06L3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 167 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 90 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0037 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 59 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IPB034N06L3G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB282L	SMD	N	272.5	80	20	3.5	105	0.0032	58	18	960	175	TO-263
AOT282L	PTH	N	272.5	80	20	3.5	105	0.0035	58	18	960	175	TO-220
IPD031N06L3G	SMD	N	167	60	-	-	100	0.0031	59	-	-	-	DPAK
IPI037N06L3G	PTH	N	167	60	-	-	90	0.0037	59	-	-	-	I2PAK
IPP037N06L3G	PTH	N	167	60	-	-	90	0.0037	59	-	-	-	TO-220