Транзистор IPB035N08N3G
IPB035N08N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 214 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0035 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 88 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IPB035N08N3G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOB282L |
SMD |
N |
272.5 |
80 |
20 |
3.5 |
105 |
0.0032 |
58 |
18 |
960 |
175 |
TO-263 |
| AOT282L |
PTH |
N |
272.5 |
80 |
20 |
3.5 |
105 |
0.0035 |
58 |
18 |
960 |
175 |
TO-220 |
| CSD19505KCS |
PTH |
N |
300 |
80 |
20 |
3.2 |
150 |
0.0031 |
76 |
16 |
1600 |
175 |
TO-220 |
| CSD19535KTT |
SMD |
N |
300 |
100 |
20 |
3.4 |
197 |
0.0034 |
75 |
18 |
1160 |
175 |
D2PAK |
| IPB030N08N3G |
SMD |
N |
214 |
80 |
- |
- |
160 |
0.003 |
88 |
- |
- |
- |
D2PAK |