IPB042N10N3GE8187 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 214 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0042 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 117 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 59 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1210 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IPB042N10N3GE8187 можно заменить на:
Нет элементов для замены