Транзистор IPB04CN10NG
IPB04CN10NG - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0039 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 158 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 78 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1590 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IPB04CN10NG можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPI04CN10N |
PTH |
N |
300 |
100 |
20 |
4 |
100 |
0.0039 |
158 |
78 |
1590 |
175 |
TO-262 |
| IPP04CN10N |
PTH |
N |
300 |
100 |
20 |
4 |
100 |
0.0039 |
158 |
78 |
1590 |
175 |
TO-220 |