Транзистор IPB065N10N3G
IPB065N10N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 150 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0065 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 37 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 646 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IPB065N10N3G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOB2500L |
SMD |
N |
375 |
150 |
20 |
3.5 |
152 |
0.0062 |
- |
20 |
586 |
175 |
TO-263 |
| AOT2500L |
PTH |
N |
375 |
150 |
20 |
3.5 |
152 |
0.0065 |
- |
20 |
586 |
175 |
TO-220 |
| AOW2500 |
PTH |
N |
375 |
150 |
20 |
3.5 |
152 |
0.0062 |
- |
20 |
586 |
175 |
TO-262 |