Транзистор IPB080N03L
IPB080N03L - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 47 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.008 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 3.6 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 580 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IPB080N03L можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPD075N03L |
SMD |
N |
47 |
30 |
20 |
2.2 |
50 |
0.0075 |
- |
3.6 |
580 |
175 |
TO-252 |
| IPP080N03L |
PTH |
N |
47 |
30 |
20 |
2.2 |
50 |
0.008 |
- |
3.6 |
580 |
175 |
TO-220 |
| IPS075N03L |
PTH |
N |
47 |
30 |
20 |
2.2 |
50 |
0.0075 |
- |
3.6 |
580 |
175 |
TO-251 |