Транзистор IPB083N10N3G
IPB083N10N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0083 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 42 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IPB083N10N3G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOB2918L |
SMD |
N |
267 |
100 |
20 |
3.9 |
90 |
0.007 |
38 |
24 |
1530 |
175 |
TO-263 |
| AOT2918L |
PTH |
N |
267 |
100 |
20 |
3.9 |
90 |
0.007 |
38 |
24 |
1530 |
175 |
TO-220 |
| CSD19531KCS |
PTH |
N |
214 |
100 |
20 |
3.3 |
100 |
0.0077 |
38 |
7.2 |
560 |
175 |
TO-220 |
| IPD082N10N3G |
SMD |
N |
125 |
100 |
- |
- |
80 |
0.0082 |
42 |
- |
- |
- |
DPAK |