Транзистор IPB085N06LG

IPB085N06LG - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-263

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 188 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0082 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 19 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 620 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор IPB085N06LG можно заменить на:

Нет элементов для замены