Транзистор IPB097N08N3G
IPB097N08N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 100 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 70 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0097 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 26 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IPB097N08N3G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPD096N08N3G |
SMD |
N |
100 |
80 |
- |
- |
73 |
0.0096 |
26 |
- |
- |
- |
DPAK |
| IPP100N08N3G |
PTH |
N |
100 |
80 |
- |
- |
70 |
0.0097 |
26 |
- |
- |
- |
TO-220 |