Транзистор IPB09N03LAG

IPB09N03LAG - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-263

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 63 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0089 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 73 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 474 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор IPB09N03LAG можно заменить на:

Нет элементов для замены