Транзистор IPB107N20NA
IPB107N20NA - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 88 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0107 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 26 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 401 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IPB107N20NA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPP110N20NA |
PTH |
N |
300 |
200 |
20 |
4 |
88 |
0.0107 |
- |
26 |
401 |
175 |
TO-220 |