Транзистор IPB108N15N3G

IPB108N15N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 214 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 83 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0108 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 41 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IPB108N15N3G можно заменить на:

Нет элементов для замены