Транзистор IPB12CN10NG
IPB12CN10NG - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 67 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0124 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 21 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 489 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IPB12CN10NG можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK7Y12-100E |
SMD |
N |
238 |
100 |
20 |
4 |
85 |
0.012 |
68 |
18 |
349 |
175 |
LFPAK56 |
| FDMS86202ET120 |
SMD |
N |
187 |
120 |
20 |
4 |
102 |
0.0072 |
- |
8.75 |
460 |
175 |
Power56 |
| IPB117N20NFD |
SMD |
N |
300 |
200 |
20 |
4 |
84 |
0.0117 |
- |
10 |
400 |
175 |
TO-263 |
| IPI12CN10NG |
PTH |
N |
125 |
100 |
20 |
4 |
67 |
0.0124 |
- |
21 |
489 |
175 |
TO-262 |
| IPP120N20NFD |
PTH |
N |
300 |
200 |
20 |
4 |
84 |
0.012 |
- |
10 |
400 |
175 |
TO-220 |
| RU1H80R |
PTH |
N |
188 |
100 |
25 |
4 |
80 |
0.012 |
- |
18 |
470 |
175 |
TO-220 |