Транзистор IPB200N25N3G
IPB200N25N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 64 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 64 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IPB200N25N3G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPI200N25N3G |
PTH |
N |
300 |
250 |
- |
- |
64 |
0.02 |
64 |
- |
- |
- |
I2PAK |
| IPP200N25N3G |
PTH |
N |
300 |
250 |
- |
- |
64 |
0.02 |
64 |
- |
- |
- |
TO-220 |