Транзистор IPB50CN10NG
IPB50CN10NG - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 44 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.049 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 16 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IPB50CN10NG можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM40N10-30D |
SMD |
N |
50 |
100 |
20 |
3.5 |
26 |
0.036 |
14.8 |
14.2 |
- |
175 |
TO-252 |
| BSC265N10LSFG |
SMD |
N |
78 |
100 |
- |
- |
40 |
0.0265 |
16 |
- |
- |
- |
SuperSOT-8 |
| FDB86102LZ |
SMD |
N |
75 |
100 |
20 |
3 |
30 |
0.024 |
15.2 |
- |
- |
150 |
TO-263 |
| FDD86102 |
SMD |
N |
62 |
100 |
20 |
4 |
42 |
0.024 |
13.4 |
- |
- |
150 |
TO-252 |
| FDMS86102LZ |
SMD |
N |
69 |
100 |
20 |
2.5 |
22 |
0.025 |
16 |
- |
- |
150 |
Power56 |
| STP25N10F7 |
PTH |
N |
50 |
100 |
20 |
4.5 |
25 |
0.035 |
14 |
14 |
215 |
175 |
TO-220 |