Транзистор IPB60R250CP
IPB60R250CP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 104 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.25 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 26 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IPB60R250CP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPI60R250CP |
PTH |
N |
104 |
600 |
- |
- |
12 |
0.25 |
26 |
- |
- |
- |
I2PAK |
| IPP60R250CP |
PTH |
N |
104 |
600 |
- |
- |
12 |
0.25 |
26 |
- |
- |
- |
TO-220 |
| IPW60R250CP |
PTH |
N |
104 |
600 |
20 |
3.5 |
12 |
0.25 |
26 |
- |
- |
150 |
TO-247 |
| PS20N600A |
PTH |
N |
266 |
600 |
30 |
4.1 |
20 |
0.199 |
20 |
32 |
68 |
150 |
TO-220 |