Транзистор IPB65R190C6
IPB65R190C6 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 151 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 20.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.19 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 98 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IPB65R190C6 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPB65R190E6 |
SMD |
N |
151 |
650 |
20 |
3.5 |
20.2 |
0.19 |
- |
11 |
98 |
150 |
TO-263 |
| IPI65R190C6 |
PTH |
N |
151 |
650 |
20 |
3.5 |
20.2 |
0.19 |
- |
12 |
98 |
150 |
TO-262 |
| IPI65R190E6 |
PTH |
N |
151 |
650 |
20 |
3.5 |
20.2 |
0.19 |
- |
11 |
98 |
150 |
TO-262 |
| IPL65R190E6 |
SMD |
N |
151 |
650 |
20 |
3.5 |
20.2 |
0.19 |
- |
11 |
98 |
150 |
ThinPAK8X8 |
| IPP65R190C6 |
PTH |
N |
151 |
650 |
20 |
3.5 |
20.2 |
0.19 |
- |
12 |
98 |
150 |
TO-220 |
| IPP65R190E6 |
PTH |
N |
151 |
650 |
20 |
3.5 |
20.2 |
0.19 |
- |
11 |
98 |
150 |
TO-220 |
| IPW65R190C6 |
PTH |
N |
151 |
650 |
20 |
3.5 |
20.2 |
0.19 |
- |
12 |
98 |
150 |
TO-247 |
| IPW65R190E6 |
PTH |
N |
151 |
650 |
20 |
3.5 |
20.2 |
0.19 |
- |
11 |
98 |
150 |
TO-247 |