Справочник электронных компонентов

Транзистор IPB80N06S4-07

IPB80N06S4-07 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IPB80N06S4-07 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
BSC042NE7NS3G SMD N 125 75 - - 100 0.0042 52 - - - SuperSOT-8
BSC047N08NS3G SMD N 125 80 - - 100 0.0047 52 - - - SuperSOT-8
BUK9Y4R8-60E SMD N 238 60 10 2.1 100 0.0041 50 53 506 175 LFPAK56
BUK9Y6R0-60E SMD N 195 60 10 2.1 100 0.0052 39.4 44 391 175 LFPAK56
CSD18532KCS PTH N 250 60 20 2.2 100 0.0042 21 5.3 470 175 TO-220
CSD18542KCS PTH N 200 60 20 2.2 170 0.004 21 5 570 175 TO-220
FDMS86150 SMD N 156 100 20 4 80 0.00485 44 - - 150 Power56
IPB049N06L3G SMD N 115 60 - - 80 0.0049 50 - - - D2PAK
IPB049NE7N3G SMD N 150 75 - - 80 0.0049 51 - - - D2PAK
IPB054N08N3G SMD N 150 80 - - 80 0.0054 52 - - - D2PAK
IPD048N06L3G SMD N 115 60 - - 90 0.0048 37 - - - DPAK
IPD053N08N3G SMD N 150 80 - - 90 0.0053 52 - - - DPAK
IPI052NE7N3G PTH N 150 75 - - 80 0.0052 51 - - - I2PAK
IPP052N06L3G PTH N 115 60 - - 80 0.0049 37 - - - TO-220
IPP052NE7N3G PTH N 150 75 - - 80 0.0052 51 - - - TO-220
IRLH5036 SMD N 250 60 16 - 100 0.0044 44 - - - PQFN5X6
PSMN5R5-60YS SMD N 130 60 20 4 100 0.0052 56 - - 175 LFPAK