Транзистор IPB80P03P4L-04

IPB80P03P4L-04 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-263

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 137 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0041 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 160 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IPB80P03P4L-04 можно заменить на:

Нет элементов для замены