Справочник электронных компонентов

Транзистор IPD035N06L3G

IPD035N06L3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: DPAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 167 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 90 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0035 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 79 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IPD035N06L3G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB264L	SMD	N	333	60	20	3.2	140	0.003	78	7	840	175	TO-263
AOB266L	SMD	N	268	60	20	3.2	140	0.0032	65	20	720	175	TO-263
AOB282L	SMD	N	272.5	80	20	3.5	105	0.0032	58	18	960	175	TO-263
AOT264L	PTH	N	333	60	20	3.2	140	0.0032	78	7	840	175	TO-220
AOT266L	PTH	N	268	60	20	3.2	140	0.0035	65	20	720	175	TO-220
AOT282L	PTH	N	272.5	80	20	3.5	105	0.0035	58	18	960	175	TO-220
CSD18535KCS	PTH	N	300	60	20	2.4	200	0.002	63	3	890	175	TO-220
CSD19505KCS	PTH	N	300	80	20	3.2	150	0.0031	76	16	1600	175	TO-220
CSD19535KTT	SMD	N	300	100	20	3.4	197	0.0034	75	18	1160	175	D2PAK
IPD031N06L3G	SMD	N	167	60	-	-	100	0.0031	59	-	-	-	DPAK