Справочник электронных компонентов

Транзистор IPD036N04LG

IPD036N04LG - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IPD036N04LG можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB282L SMD N 272.5 80 20 3.5 105 0.0032 58 18 960 175 TO-263
AOT282L PTH N 272.5 80 20 3.5 105 0.0035 58 18 960 175 TO-220
AP0103GP-HF PTH N 250 40 20 - 220 0.00299 30 80 605 150 TO-220
BSC028N06LS3G SMD N 139 60 - - 100 0.0028 59 - - - SuperSOT-8
BUK7Y3R5-40E SMD N 167 40 20 4 100 0.0035 49.4 24.9 514 175 LFPAK56
BUK9Y3R0-40E SMD N 194 40 10 2.1 100 0.0025 35.5 44 563 175 LFPAK56
BUK9Y3R5-40E SMD N 167 40 10 2.1 100 0.0036 30.2 36.8 487 175 LFPAK56
CEB14G04 SMD N 100 40 20 - 140 0.0036 50 12 570 175 TO-263
CEP14G04 PTH N 100 40 20 - 140 0.0036 50 12 570 175 TO-220
CSD18502KCS PTH N 259 40 20 2.1 100 0.0029 25 7.3 900 175 TO-220
FDD9409_F085 SMD N 150 40 20 - 90 0.0032 42 - - 175 TO-252
IPB020N04NG SMD N 167 40 - - 140 0.002 43 - - - D2PAK
IPD031N06L3G SMD N 167 60 - - 100 0.0031 59 - - - DPAK
PSMN3R3-40YS SMD N 117 40 20 4 100 0.0033 49 - - 175 LFPAK