Справочник электронных компонентов

Транзистор IPD088N06N3G

IPD088N06N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IPD088N06N3G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AFN6011S PTH N 95 65 20 4 60 0.0078 35 10 320 150 TO-220
AUIRLR3636 SMD N 143 60 16 2.5 99 0.0068 33 - - 175 DPAK
BUK969R0-60E SMD N 137 60 10 2.1 75 0.008 29.8 56 305 175 D2PAK
BUK9Y7R2-60E SMD N 167 60 10 2.1 100 0.0056 35 36.4 341 175 LFPAK56
BUK9Y8R7-60E SMD N 147 60 10 2.1 86 0.0075 31 30 295 175 LFPAK56
CSD18532KCS PTH N 250 60 20 2.2 100 0.0042 21 5.3 470 175 TO-220
CSD18533KCS PTH N 192 60 20 2.3 100 0.0063 14 4.8 300 175 TO-220
CSD18542KCS PTH N 200 60 20 2.2 170 0.004 21 5 570 175 TO-220
FDP085N10A_F102 PTH N 188 100 20 - 68 0.0085 31 - - 175 TO-220
IPB081N06L3G SMD N 79 60 - - 50 0.0084 22 - - - D2PAK
IPD079N06L3G SMD N 79 60 - - 50 0.0079 22 - - - DPAK
IPP084N06L3G PTH N 79 60 - - 50 0.0084 29 - - - TO-220
IRLR3636 SMD N 143 60 16 2.5 99 0.0068 33 - - 175 DPAK
IRLU3636 PTH N 143 60 16 - 99 0.0068 33 - - - IPAK