Транзистор IPD122N10N3G

IPD122N10N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: DPAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 94 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 59 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0122 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 26 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IPD122N10N3G можно заменить на:

Нет элементов для замены