Транзистор IPD135N03L
IPD135N03L - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 31 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 30 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0135 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 3 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 350 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IPD135N03L можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOD496A |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
2.2 |
57 |
0.01 |
- |
3 |
240 |
175 |
TO-252 |
| IPF135N03LG |
SMD |
N |
31 |
30 |
20 |
2.2 |
30 |
0.0135 |
- |
3 |
350 |
175 |
TO-252 |