Транзистор IPD180N10N3G
IPD180N10N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 71 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 43 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.018 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 19 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IPD180N10N3G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD19534KCS |
PTH |
N |
118 |
100 |
20 |
3.4 |
54 |
0.0165 |
17.1 |
2 |
257 |
175 |
TO-220 |
| IPI180N10N3G |
PTH |
N |
71 |
100 |
- |
- |
43 |
0.018 |
19 |
- |
- |
- |
I2PAK |
| IPP180N10N3G |
PTH |
N |
71 |
100 |
- |
- |
43 |
0.018 |
19 |
- |
- |
- |
TO-220 |