Справочник электронных компонентов

Транзистор IPD200N15N3G

IPD200N15N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: DPAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 150 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 23 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IPD200N15N3G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IPB200N15N3G	SMD	N	150	150	-	-	50	0.02	23	-	-	-	D2PAK
IPI200N15N3G	PTH	N	150	150	-	-	50	0.02	23	-	-	-	I2PAK
IPP200N15N3G	PTH	N	150	150	-	-	50	0.02	23	-	-	-	TO-220