Транзистор IPD320N20N3G
IPD320N20N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 136 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 34 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.032 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 22 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IPD320N20N3G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPB320N20N3G |
SMD |
N |
136 |
200 |
- |
- |
34 |
0.032 |
22 |
- |
- |
- |
D2PAK |
| IPI320N20N3G |
PTH |
N |
136 |
200 |
- |
- |
34 |
0.032 |
22 |
- |
- |
- |
I2PAK |
| IPP320N20N3G |
PTH |
N |
136 |
200 |
- |
- |
34 |
0.032 |
22 |
- |
- |
- |
TO-220 |