Транзистор IPD50N04S3-08
IPD50N04S3-08 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 68 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0075 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 35 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IPD50N04S3-08 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK758R3-40E |
PTH |
N |
96 |
40 |
20 |
4 |
75 |
0.0074 |
24 |
9 |
260 |
175 |
TO-220AB |
| BUK768R1-40E |
SMD |
N |
96 |
40 |
20 |
4 |
75 |
0.0072 |
24 |
9 |
260 |
175 |
D2PAK |
| BUK7E8R3-40E |
PTH |
N |
96 |
40 |
20 |
4 |
75 |
0.0058 |
24 |
9 |
260 |
175 |
I2PAK |
| IXTA100N04T2 |
SMD |
N |
150 |
40 |
20 |
4 |
100 |
0.007 |
25.5 |
34 |
- |
175 |
TO-263 |
| IXTP100N04T2 |
PTH |
N |
150 |
40 |
20 |
4 |
100 |
0.007 |
25.5 |
34 |
- |
175 |
TO-220 |
| PSMN4R5-40BS |
SMD |
N |
148 |
40 |
20 |
4 |
100 |
0.0045 |
35 |
23 |
660 |
175 |
D2PAK |
| PSMN5R8-40YS |
SMD |
N |
89 |
40 |
20 |
4 |
90 |
0.0057 |
28.8 |
- |
- |
175 |
LFPAK |