Транзистор IPD50R3K0CE
IPD50R3K0CE - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 18 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5.8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 7 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IPD50R3K0CE можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPU50R3K0CE |
PTH |
N |
18 |
500 |
20 |
3.5 |
1.7 |
3 |
- |
5.8 |
7 |
150 |
TO-251 |