Транзистор IPD60R600E6
IPD60R600E6 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 63 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.6 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 20.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IPD60R600E6 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXKP10N60C5 |
PTH |
N |
109 |
600 |
20 |
3.5 |
10 |
0.385 |
17 |
260 |
- |
150 |
TO-220 |
| IXKP13N60C5 |
PTH |
N |
130 |
600 |
20 |
3.5 |
13 |
0.3 |
20 |
300 |
- |
150 |
TO-220 |
| TK9P65W |
SMD |
N |
80 |
650 |
30 |
3.5 |
9.3 |
0.56 |
20 |
16 |
20 |
150 |
DPAK |
| TK9Q65W |
PTH |
N |
80 |
650 |
30 |
3.5 |
9.3 |
0.56 |
20 |
16 |
20 |
150 |
IPAK |