Транзистор IPD65R1K4C6
IPD65R1K4C6 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 28 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.4 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5.9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 18 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IPD65R1K4C6 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPS65R1K4C6 |
PTH |
N |
28 |
650 |
20 |
3.5 |
3.2 |
1.4 |
- |
5.9 |
18 |
150 |
TO-251 |
| SS05N70 |
PTH |
N |
28 |
700 |
20 |
3.5 |
3.2 |
1.4 |
10.5 |
5.9 |
18 |
150 |
TO-251 |