Транзистор IPD70N10S3L-12

IPD70N10S3L-12 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-252

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 70 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0115 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 77 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор IPD70N10S3L-12 можно заменить на:

Нет элементов для замены