Транзистор IPD80N04S3-06
IPD80N04S3-06 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 100 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0052 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 47 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IPD80N04S3-06 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK7Y4R4-40E |
SMD |
N |
147 |
40 |
20 |
4 |
100 |
0.0044 |
39 |
18 |
444 |
175 |
LFPAK56 |
| PSMN4R0-40YS |
SMD |
N |
106 |
40 |
20 |
4 |
100 |
0.0042 |
38 |
- |
- |
175 |
LFPAK |
| PSMN4R5-40BS |
SMD |
N |
148 |
40 |
20 |
4 |
100 |
0.0045 |
35 |
23 |
660 |
175 |
D2PAK |
| PSMN4R5-40PS |
PTH |
N |
148 |
40 |
20 |
4 |
100 |
0.0046 |
42.3 |
- |
- |
175 |
TO-220AB |