Транзистор IPD80R1K4CE
IPD80R1K4CE - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 63 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.9 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.4 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 25 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IPD80R1K4CE можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPU80R1K4CE |
PTH |
N |
63 |
800 |
20 |
3.9 |
3.9 |
1.4 |
- |
15 |
25 |
150 |
TO-251 |