Транзистор IPD90N04S4-04
IPD90N04S4-04 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 71 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 90 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0041 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 43 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IPD90N04S4-04 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP0103GP-HF |
PTH |
N |
250 |
40 |
20 |
- |
220 |
0.00299 |
30 |
80 |
605 |
150 |
TO-220 |
| BUK9Y3R0-40E |
SMD |
N |
194 |
40 |
10 |
2.1 |
100 |
0.0025 |
35.5 |
44 |
563 |
175 |
LFPAK56 |
| BUK9Y3R5-40E |
SMD |
N |
167 |
40 |
10 |
2.1 |
100 |
0.0036 |
30.2 |
36.8 |
487 |
175 |
LFPAK56 |
| BUK9Y4R4-40E |
SMD |
N |
147 |
40 |
10 |
2.1 |
100 |
0.0037 |
26.8 |
31 |
422 |
175 |
LFPAK56 |
| CSD18502KCS |
PTH |
N |
259 |
40 |
20 |
2.1 |
100 |
0.0029 |
25 |
7.3 |
900 |
175 |
TO-220 |
| CSD18542KCS |
PTH |
N |
200 |
60 |
20 |
2.2 |
170 |
0.004 |
21 |
5 |
570 |
175 |
TO-220 |
| FDD9409_F085 |
SMD |
N |
150 |
40 |
20 |
- |
90 |
0.0032 |
42 |
- |
- |
175 |
TO-252 |
| IPB020N04NG |
SMD |
N |
167 |
40 |
- |
- |
140 |
0.002 |
43 |
- |
- |
- |
D2PAK |