Транзистор IPD90R1K2C3
IPD90R1K2C3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 83 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 900 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 28 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IPD90R1K2C3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STB10N95K5 |
SMD |
N |
130 |
950 |
30 |
5 |
8 |
0.8 |
22 |
14 |
50 |
150 |
D2PAK |
| STP10N95K5 |
PTH |
N |
130 |
950 |
30 |
5 |
8 |
0.8 |
22 |
14 |
50 |
150 |
TO-220 |
| STW10N95K5 |
PTH |
N |
130 |
950 |
30 |
5 |
8 |
0.8 |
22 |
14 |
50 |
150 |
TO-247 |