Транзистор IPF050N03LG
IPF050N03LG - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 68 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.005 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 13 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 920 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IPF050N03LG можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOD492 |
SMD |
N |
100 |
30 |
20 |
2.2 |
85 |
0.0044 |
- |
8.5 |
682 |
175 |
TO-252 |
| AOL1700 |
SMD |
N |
100 |
30 |
20 |
2.2 |
85 |
0.0042 |
- |
8.5 |
682 |
175 |
UltraSO-8 |
| CSD18532KCS |
PTH |
N |
250 |
60 |
20 |
2.2 |
100 |
0.0042 |
21 |
5.3 |
470 |
175 |
TO-220 |
| CSD18542KCS |
PTH |
N |
200 |
60 |
20 |
2.2 |
170 |
0.004 |
21 |
5 |
570 |
175 |
TO-220 |
| IPD050N03L |
SMD |
N |
68 |
30 |
20 |
2.2 |
50 |
0.005 |
- |
13 |
920 |
175 |
TO-252 |
| IPS050N03L |
PTH |
N |
68 |
30 |
20 |
2.2 |
50 |
0.005 |
- |
13 |
920 |
175 |
TO-251 |