Транзистор IPI020N06N
IPI020N06N - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-262
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 214 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 120 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.002 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 106 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 45 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1800 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IPI020N06N можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPB014N06N |
SMD |
N |
214 |
60 |
20 |
3.3 |
180 |
0.0014 |
106 |
18 |
1800 |
175 |
TO-263-7 |
| IPP020N06N |
PTH |
N |
214 |
60 |
20 |
3.3 |
120 |
0.002 |
106 |
45 |
1800 |
175 |
TO-220 |