Транзистор IPI057N08N3G
IPI057N08N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: I2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 150 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0057 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 52 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IPI057N08N3G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD19532KTT |
SMD |
N |
250 |
100 |
20 |
3.2 |
136 |
0.0056 |
44 |
3 |
674 |
175 |
D2PAK |
| FDMS86150 |
SMD |
N |
156 |
100 |
20 |
4 |
80 |
0.00485 |
44 |
- |
- |
150 |
Power56 |
| IPB054N08N3G |
SMD |
N |
150 |
80 |
- |
- |
80 |
0.0054 |
52 |
- |
- |
- |
D2PAK |
| IPD053N08N3G |
SMD |
N |
150 |
80 |
- |
- |
90 |
0.0053 |
52 |
- |
- |
- |
DPAK |
| IPP057N08N3G |
PTH |
N |
150 |
80 |
- |
- |
80 |
0.0057 |
52 |
- |
- |
- |
TO-220 |