Справочник электронных компонентов

Транзистор IPI50R299CP

IPI50R299CP - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: I2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 104 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.299 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 23 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IPI50R299CP можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IPB50R299CP	SMD	N	104	500	-	-	12	0.299	23	-	-	-	D2PAK
IPP50R299CP	PTH	N	104	500	-	-	12	0.299	23	-	-	-	TO-220
IPW50R299CP	PTH	N	104	500	-	-	12	0.299	23	-	-	-	TO-247
IXKP13N60C5	PTH	N	130	600	20	3.5	13	0.3	20	300	-	150	TO-220
PS20N600A	PTH	N	266	600	30	4.1	20	0.199	20	32	68	150	TO-220
STB18N60M2	SMD	N	110	600	25	4	13	0.28	21.5	9	40	150	D2PAK
STD16N50M2	SMD	N	110	500	25	4	13	0.28	19.5	7.6	44	150	DPAK
STP16N50M2	PTH	N	110	500	25	4	13	0.28	19.5	7.6	44	150	TO-220
STP18N60M2	PTH	N	110	600	25	4	13	0.28	21.5	9	40	150	TO-220
STW18N60M2	PTH	N	110	600	25	4	13	0.28	21.5	9	40	150	TO-247
TK15J60T	PTH	N	170	600	30	-	15	0.3	21	37	2300	150	TO-3P