Справочник электронных компонентов

Транзистор IPI60R125CP

IPI60R125CP - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: I2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 208 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 25 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.125 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 53 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IPI60R125CP можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOK42S60	PTH	N	417	600	30	-	39	0.099	40	53	135	150	TO-247
AOT42S60	PTH	N	417	600	30	-	37	0.109	40	53	135	150	TO-220
C2M0080120D	PTH	N	208	1200	25	3.2	31.6	0.098	49.2	13.6	80	150	TO-247-3
IPB60R125CP	SMD	N	208	600	-	-	25	0.125	53	-	-	-	D2PAK
IPP60R125CP	PTH	N	208	600	-	-	25	0.125	53	-	-	-	TO-220
IPW60R125CP	PTH	N	208	600	-	-	25	0.125	53	-	-	-	TO-247
IXKH30N60C5	PTH	N	310	600	20	3.5	30	0.125	53	430	-	150	TO-247