Транзистор IPI60R165CP
IPI60R165CP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: I2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 192 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 21 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.165 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 39 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IPI60R165CP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPB60R165CP |
SMD |
N |
192 |
600 |
- |
- |
21 |
0.165 |
39 |
- |
- |
- |
D2PAK |
| IPP60R165CP |
PTH |
N |
192 |
600 |
- |
- |
21 |
0.165 |
39 |
- |
- |
- |
TO-220 |
| IPW60R165CP |
PTH |
N |
192 |
600 |
- |
- |
21 |
0.165 |
39 |
- |
- |
- |
TO-247 |